| 直接测量~(109)Cd活度 |
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| 引用本文： | 吴学周,李作前,杨元弟,宋黎,王载勇. 直接测量~(109)Cd活度[J]. 核电子学与探测技术, 1988, 0(6) |
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| 作者姓名： | 吴学周 李作前 杨元弟 宋黎 王载勇 |
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| 作者单位： | 中国科学计量研究院(吴学周，李作前，杨元弟，宋黎)，中国科学计量研究院(王载勇) |
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| 摘 要： | ~(100)Cd是一个重要的低能γ射线源和X射线源,其半衰期为462.6d。广泛地用于刻度半导体谱仪的效率和X射线荧光分析中作为X射线源。本文介绍了利用4πβ(PPC),4πβ(L,S)和4πe-γ符合法测量~(109)Cd活度的原理,并对几朴方法作了比较和讨论。
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| 关 键 词： | γ射线源 刻度 效率 荧光分析 4πe-γ符合法 |
Direct Measurements of Activity of the ~(109)Cd Solution |
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| Wu Xuezhou Li Zunqian Yang Yuandi Sun Li Wang Zaiyong. Direct Measurements of Activity of the ~(109)Cd Solution[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 1988, 0(6) |
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| Authors: | Wu Xuezhou Li Zunqian Yang Yuandi Sun Li Wang Zaiyong |
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