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| Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件G-V特性 | |
| 引用本文： | 黄河,童斐明,汤定元.Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件G-V特性[J].红外与毫米波学报,1989,8(6). |
| 作者姓名： | 黄河 童斐明 汤定元 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 上海 (黄河，童斐明)，中国科学院上海技术物理研究所 上海(汤定元) |
| 摘 要： | 基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件,当温度T<130K时,占优势的暗电流机制是通过禁带态的间接隧道电流;而当T>130K时则是耗尽区的产生-复合电流.在低温区,从价带到禁带态的电子热激发限制了间接隧道电流,根据R_0A对温度的依赖关系推算出禁带态位置约在价带顶上面50meV处.在P型样品中,反型层量子化效应强烈地影响少子暗电流的大小. |
| 关 键 词： | Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件 G-V特性 少子暗电流 |
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