| 静电感应晶闸管的负阻转折特性 |
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| 引用本文： | 唐莹, 刘肃, 李思渊, 胡冬青, 常鹏, 杨涛,.静电感应晶闸管的负阻转折特性[J].电子器件,2007,30(1):54-56. |
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| 作者姓名： | 唐莹 刘肃 李思渊 胡冬青 常鹏 杨涛 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.
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| 关 键 词： | SITH 负阻转折特性 少子寿命 大注入 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）01-0054-03 |
| 修稿时间： | 2006-03-27 |
Research of SITH's Negative-Resistance Characteristic |
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| TANG Ying,LIU Su,LI Si-yuan,HU Dong-qing,CHANG Peng,YANG Tao.Research of SITH''''s Negative-Resistance Characteristic[J].Journal of Electron Devices,2007,30(1):54-56. |
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| Authors: | TANG Ying LIU Su LI Si-yuan HU Dong-qing CHANG Peng YANG Tao |
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| Affiliation: | Institute of Static Induction Devices, Physics Department of Lanzhou University, Lanzhou 730000, China |
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| Abstract: | A new method is proposed to research SITH's negative-resistance characteristic. Considering the working mechanism of SITH, two carriers injection effect and the varieties of carrier lifetime, we analyze SITH's negative resistance characteristic and calculate the breakover voltage and current. |
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| Keywords: | SITH negative-resistance characteristic minority cattier lifetime high-level injection |
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