一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究 |
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引用本文: | 陈鑫,袁培,徐云龙,杨春城,张健,李传南.一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究[J].半导体光电,2015,36(6):993-998. |
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作者姓名: | 陈鑫 袁培 徐云龙 杨春城 张健 李传南 |
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作者单位: | 吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春,130012;中国人民解放军61251部队,河北秦皇岛,066102 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(61177025);国家“973”计划项目(2010CB327701);吉林省科技发展计划项目(20130102009JC) |
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摘 要: | OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定.通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3 pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18 cd/m2.电路可实现的最小OLED驱动电流为25 pA,像素亮度范围为1.82~217.37 cd/m2.
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关 键 词: | 微显示 OLED 像素驱动电路 关态漏电流 存储电压 |
收稿时间: | 2015/2/12 0:00:00 |
Research on an OLED Microdisplay Pixel Circuit with Reduced Off-state Leakage Current and Improved Stability of Luminance |
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Abstract: | |
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Keywords: | microdisplay OLED pixel circuit off-state leakage current storage voltage |
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