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a-SiCdTe∶H薄膜做液晶光阀光敏层的光学特性研究
引用本文:连雪艳,蒋向东,王继岷,刘韦颖,伍海峰.a-SiCdTe∶H薄膜做液晶光阀光敏层的光学特性研究[J].半导体光电,2015,36(6):939-941,945.
作者姓名:连雪艳  蒋向东  王继岷  刘韦颖  伍海峰
作者单位:电子科技大学 光电信息学院,成都,610054;电子科技大学 光电信息学院,成都,610054;电子科技大学 光电信息学院,成都,610054;电子科技大学 光电信息学院,成都,610054;电子科技大学 光电信息学院,成都,610054
基金项目:国家自然科学基金项目(51372032)
摘    要:采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜.研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响.采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、椭偏仪等测试手段对薄膜的表面形貌、成分和光学性能进行了表征.结果表明,薄膜的折射率和吸收系数均随x值的增大而增大;而光学带隙E.pt随x值的增大从2.01 eV降到1.75 eV.薄膜在可见光范围内透过率随着x值的增大而有所降低,且吸收边发生红移.

关 键 词:射频磁控溅射  a-SiCdTe  H薄膜  光学带隙
收稿时间:3/9/2015 12:00:00 AM
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