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亚100 nm硅集成技术融合趋势
作者姓名:冯光涛  倪昊
作者单位:中芯国际集成电路制造有限公司;
基金项目:国家02科技重大专项资助项目(2013ZX02301-001)
摘    要:对亚100 nm硅集成技术融合趋势进行了展望。各项新技术使MOSFET器件可以按比例缩小到10 nm以下节点,让摩尔定律在未来很长时间继续有效。另一方面,随着硅通孔等技术的日益成熟,器件、芯片、晶圆和介质层之间将以各种灵活的方式进行互连,实现各式各样的三维硅集成。在摩尔定律指引下的器件小型化技术、沿着后摩尔定律方向的三维硅集成技术,以及两者之间的相互融合,是亚100 nm硅集成技术的发展方向。

关 键 词:MOSFET  器件小型化  硅通孔  系统芯片  系统封装  三维硅集成
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