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移动Ni-5W基带上制备钇系涂层导体隔离层的研究
引用本文:刘慧舟,杨坚,张华,古宏伟.移动Ni-5W基带上制备钇系涂层导体隔离层的研究[J].稀有金属,2008,32(5).
作者姓名:刘慧舟  杨坚  张华  古宏伟
作者单位:北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:采用电子束蒸发和磁控溅射两种工艺在移动的Ni-5W合金基带上制备了Y2O3隔离层,研究了镀膜过程中基带移动速度对隔离层性能的影响,同时详细比较了两种镀膜方法.利用扫描电镜、X射线衍射等手段对Y2O3隔离层进行了分析.结果表明:通过严格控制工艺条件,两种方法都能在移动Ni-5W合金基带上制备高立方织构、表面致密光滑的Y2O3隔离层.研究发现,电子束蒸发工艺中,理想的基带移动速度是0.4~1.0 mm·s-1;磁控溅射工艺中,适宜的基带移动速度应该是0.5~2.0mm·s-1.

关 键 词:涂层导体  连续沉积(隔离层)  电子束蒸发  溅射

Deposition of Y203 Buffer Layer for Coated Conductors on Moving Ni-5W Substrate
Liu Huizhou,Yang Jian,Zhang Hua,Gu Hongwei.Deposition of Y203 Buffer Layer for Coated Conductors on Moving Ni-5W Substrate[J].Chinese Journal of Rare Metals,2008,32(5).
Authors:Liu Huizhou  Yang Jian  Zhang Hua  Gu Hongwei
Abstract:
Keywords:Y2O3
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