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| 脉冲激光沉积法制备的Ge(S90Se10)2硫系薄膜中的光致漂白效应研究 | |
| 引用本文： | 周学东,董国平,肖秀娣,陶海征,赵修建,潘瑞琨. 脉冲激光沉积法制备的Ge(S90Se10)2硫系薄膜中的光致漂白效应研究[J]. 材料科学与工程学报, 2007, 25(1): 18-21 |
| 作者姓名： | 周学东 董国平 肖秀娣 陶海征 赵修建 潘瑞琨 |
| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 教育部长江学者和创新团队发展计划 , Opening Fund of Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering ( Wuhan University of Technology) , 教育部资助项目 |
| 摘 要： | 运用激光脉冲沉积法（PLD）制备了Ge（S90Se10）2薄膜，通过运用紫外汞灯对制备的薄膜进行不同时间的辐照，我们确定了达到饱和状态所需要的辐照时间（90分钟）。当薄膜处于饱和状态时，巨大的光致漂白效应被观察到了（△E=0．36ev）。此外，在本文中，我们也对光致漂白效应的机理进行了阐述，一种新型的光电子材料被发现了。 |
| 关 键 词： | 激光脉冲沉积法（PLD） 光致漂白 Ge（S90Se10）2薄膜 能隙 |
| 文章编号： | 1673-2812(2007)01-0018-04 |
| 修稿时间： | 2006-04-20 |
Photo-bleaching in Ge(S90Se10)2 Chalcogenide Films Prepared by Pulsed Laser Deposition |
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| ZIIOU Xue-dong,DONG Guo-ping,XIAO Xiu-di,TAO Hai-zheng,ZHAO Xiu-jian,PAN Rui-kun. Photo-bleaching in Ge(S90Se10)2 Chalcogenide Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2007, 25(1): 18-21 | |
| Authors: | ZIIOU Xue-dong DONG Guo-ping XIAO Xiu-di TAO Hai-zheng ZHAO Xiu-jian PAN Rui-kun |
| Abstract: | Using the pulsed laser deposition (PLD) technique, Ge(S90Se10)2 films were prepared. After illuminating the film for different time with Hg arc lamp, the saturation state (illuminated time = 90min) was ascertained, and the huge photo-bleaching phenomenon is observed (△E = 0.36ev) at the saturation state. Furthermore, the mechanism of photo-bleaching is also studied. A novel type of photoelectron materials is discovered. |
| Keywords: | PLD photo-bleaching Ge(S_(90)Se_(10))_2 film Eg |
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