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| 提高R(?)b均匀性的新方法 | |
| 引用本文： | 曾广.提高R(?)b均匀性的新方法[J].半导体技术,1988(6). |
| 作者姓名： | 曾广 |
| 作者单位： | 衡阳市晶体管厂 |
| 摘 要： | 本文介绍一种能提高基区硼杂质浓度R_(?)b均匀性的新方法.①传统工艺方法(下称方法①):基区硼扩散分两步,先进行硼予扩,在硅抛光片表面上沉积一定数量的硼杂质原子.再进行主扩再分布,同时进行氧化.其氧化方法是:主扩硅片进炉时,开始干氧氧化40分钟,然后转湿氧氧化150分钟,再转干氧氧化180分钟,即:干O_240分钟+湿O_2150分钟+干O_2180分钟 |
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