| 衬底温度对微晶硅薄膜沉积与结构特征的影响 |
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| 引用本文： | 杨恢东.衬底温度对微晶硅薄膜沉积与结构特征的影响[J].光电子．激光,2005,16(6):646-649. |
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| 作者姓名： | 杨恢东 |
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| 作者单位： | 暨南大学电子工程系,广东,广州,510632 |
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| 基金项目： | 国家重点基础发展“973”规划资助项目(G200002822)，教育部科学技术研究资助项目(02167)，暨南大学引进优秀人才科研启动基金资助项目(51204056) |
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| 摘 要： | 采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度条件下沉积了氢化微晶硅(μc—Si：H)薄膜，并通过光发射谱(OES)测量技术对沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体进行了原位监测。结合对样品的沉积速率测量与结构表征，研究了衬底温度对薄膜沉积过程与结构特征的影响。实验结果表明：随着衬底温度的增加，μc—Si：H薄膜结晶体积分数与晶粒的平均尺寸单调增大，而沉积速率则呈现出先增后减的变化。对于当前的沉积系统，优化生长的衬底温度约为210℃，相应的μc-Si：H薄膜沉积速率为0．8nm／s，结晶体积分数与晶粒平均尺寸分别为60％和9nm。
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| 关 键 词： | 甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD) 氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜 硅烷(SiH4)等离子体 光发射谱 |
| 文章编号： | 1005-0086(2005)06-0646-04 |
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