|
|||||
|
|
| InP衬底上的HEMT毫米波单片放大器 | |
| 作者姓名： | 李淑芳 |
| 摘 要： | <正>据《Electronics Lett.》1989年第20期报道,由于Inp材料比GaAs具有更高的热导率.同时高电子迁移率和高饱和速度的GaInAs材料亦与InP晶格匹配,因此,采用InP材料制成的HEMT器件具有诱人的应用前景.美国Varian研究中心制成了以InP为衬底的HEMT毫米波单片放大器.InP也是长波长激光器使用的材料,因此,这一工作可以推广应用于长波长激光器与高性能微波器件集成的光电子电路的研制. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |