| 宽温高频高反压沟道基区晶体管研制 |
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| 引用本文： | 丛众,吴春瑜,王荣,石广元,闫东梅,张雯,朱肖林,汪永生.宽温高频高反压沟道基区晶体管研制[J].电子学报,1999,27(5):18. |
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| 作者姓名： | 丛众 吴春瑜 王荣 石广元 闫东梅 张雯 朱肖林 汪永生 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁大学电子科学与工程系,沈阳,110036
2. 成都星光电工厂,成都,610051 |
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| 基金项目： | 电子工业部科技开发项目 |
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| 摘 要： | 耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．
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| 关 键 词： | 耗尽基区 静电感应 本征栅 |
Study and Fabrication of Channel-Base Transistor with Wider Temperature Range,High-Frequency and High-Breakdown-Voltage |
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| Cong Zhong,Wu Chunyu,Wang Rong,Shi Guangyuan,Yan Dongmei,Zhang Wen,Zhu XiaoLin,Wang Yongsheng.Study and Fabrication of Channel-Base Transistor with Wider Temperature Range,High-Frequency and High-Breakdown-Voltage[J].Acta Electronica Sinica,1999,27(5):18. |
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| Authors: | Cong Zhong Wu Chunyu Wang Rong Shi Guangyuan Yan Dongmei Zhang Wen Zhu XiaoLin Wang Yongsheng |
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| Affiliation: | Cong Zhong,Wu Chunyu,Wang Rong,Shi
Guangyuan,Yan Dongmei,Zhang Wen;
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Depletion base Static induction Intrinsic gate |
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