| 90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度 |
| |
| 引用本文： | 鲍立,庄奕琪,马晓华,包军林. 90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度[J]. 半导体学报, 2007, 28(9): 1443-1447 |
| |
| 作者姓名： | 鲍立 庄奕琪 马晓华 包军林 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
| |
| 摘 要： | 研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.
|
| 关 键 词： | RTS 幅度 深亚微米 MOS |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1443-05 |
| 修稿时间： | 2007-04-05 |
RTS Amplitude of 90nm MOS Devices in Sub-Threshold Region |
| |
| Bao Li,Zhuang Yiqi,Ma Xiaohua and Bao Junlin. RTS Amplitude of 90nm MOS Devices in Sub-Threshold Region[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(9): 1443-1447 |
| |
| Authors: | Bao Li Zhuang Yiqi Ma Xiaohua Bao Junlin |
| |
| Affiliation: | Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RTS amplitude deep sub-micron MOS |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
