|
|||||
|
|
| Si和316L基片上TiN薄膜微观结构和应力的对比分析 | |
| 作者姓名： | 赵升升 程毓 张小波 常正凯 |
| 作者单位： | 深圳职业技术学院 机电工程学院,广东 深圳 518055,深圳市速普仪器有限公司,广东 深圳 518000 |
| 基金项目： | 深圳职业技术学院重点项目(6020310007K);深圳市基础研究项目(JCYJ20190809150001747) |
| 摘 要： | 目的 比较Si和316L基片上TiN薄膜的微观结构和应力,分析基片材料和基片初始曲率对薄膜应力的影响.方法 采用电弧离子镀技术在Si基片和316L基片上制备了TiN薄膜,实测了薄膜应力,通过XRD、SEM、TEM等方法对薄膜的微观结构进行了分析.运用有限元分析技术,以结构力学为原理,分别对不同初始曲率的Si基片和316... |
| 关 键 词： | 基片弯曲法 应力测试 残余应力 基片初始曲率 基片材料 |
| 收稿时间： | 2021-04-21 |
| 修稿时间： | 2021-09-07 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《表面技术》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《表面技术》下载全文 | |