| 离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究 |
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| 引用本文： | 杨宇,陈刚,邓书康,高立刚,刘焕林,吴国元,俞帆,陈长青,陈亮,郝瑞亭.离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究[J].功能材料,2004,35(Z1):881-883. |
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| 作者姓名： | 杨宇 陈刚 邓书康 高立刚 刘焕林 吴国元 俞帆 陈长青 陈亮 郝瑞亭 |
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| 作者单位： | 杨宇（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;陈刚（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;邓书康（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;高立刚（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;刘焕林（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;吴国元（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;俞帆（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;陈长青（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;陈亮（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;郝瑞亭（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091） |
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| 摘 要： | 研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.
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| 关 键 词： | Si/Ge多层膜 离子束外延 XRD Raman散射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0881-03 |
| 修稿时间： | 2004年5月23日 |
Crystallized silicon films grown at room temperature by ion beam epitaxy using optimized germanium content |
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