| 磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质 |
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| 引用本文： | 柴春林,杨少延,刘志凯,陈诺夫.磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 柴春林 杨少延 刘志凯 陈诺夫 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 CeO2薄膜 发光 反应磁控溅射法 生长规律 薄膜 发光性质 Investigation System Sputtering Control 氧缺陷 结果 测试 室温 影响 晶体质量 膜的成分 比例 氩气 氧气 发现 实验 |
Investigation of PL of CeO2/Si Thin Film Fabricated Using Magetron Control Sputtering System |
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| Chai Chunlin,Yang Shaoyan,Liu Zhikai,Chen Nuofu.Investigation of PL of CeO2/Si Thin Film Fabricated Using Magetron Control Sputtering System[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Chai Chunlin Yang Shaoyan Liu Zhikai Chen Nuofu |
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