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| S波段PHEMT单片低噪声放大器 | |
| 作者姓名： | 岑元飞 陈效建 王军贤 高建峰 林金庭 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所, |
| 摘 要： | 采用 PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S波段低噪声放大器。利用 HPIC- CAP软件系统提取 PHEMT管芯的 EEHEMT1模型参数 ,并结合 HP- EEsof Series IV软件的优化设计 ,及 Cadence L ayout版图设计 ,最终在 76 mm的 MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下 ,成功地应用于单片接收机前端中 |
| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声 放大器 模型 单片集成电路 |
| 文章编号： | 1000-3819200103-271-05 |
| 修稿时间： | 1999-05-27 |
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