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| 2～6GHz单片宽带功率放大器 | |
| 摘 要： | 南京电子器件研究所应用0.5μm的GaAs离子注入工艺,研制开发了2～6GHz的宽带单片功率放大器,其中的大电容采用高介电常数的电介质制造。放大器的主要性能如下: 工作频率/GHz 2～6.7 电压驻波比 1.7增益/dB17±1功率附加效率/%24输出功率/dB31芯片面积/mm×mm2.2×22～6GHz单片宽带功率放大器 |
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