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发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理
引用本文:张瑞俭,宁桂玲.发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理[J].光电子技术,2003,23(1):30-34.
作者姓名:张瑞俭  宁桂玲
作者单位:大连理工大学材料化工系,大连,116012
摘    要:提出了Eu^2 激活的MAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (M=Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素)系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为O^2-空位Vo是一种电子俘获陷际,是形成余辉的根本原因,RE^3 的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布,Vo和碱土金属离子空位VM在高温下可相互缔合。利用电子陷阱模型解释了实验中的一些普遍现象并提出了固相反应法合成此类发光体的工艺改进措施。

关 键 词:发光体  铕激活  铝酸盐  长余辉  电子俘获陷阱
文章编号:1005-488X(2003)01-0030-05
修稿时间:2002年10月7日

The Mechanism of Long Afterglow Phosphors MAl2O4:Eu2+,RE3+
ZHANG Rui jian,NING Gui ling.The Mechanism of Long Afterglow Phosphors MAl2O4:Eu2+,RE3+[J].Optoelectronic Technology,2003,23(1):30-34.
Authors:ZHANG Rui jian  NING Gui ling
Abstract:The mechanism of long afterglow phosphors MAl 2O 4:Eu 2+ ,RE 3+ (M=Ca,Sr,Ba;RE=rare earth elements such as Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb etc.) is described in this paper. The vacancy complex of O 2- and M 2+ ,i.e. V O and V M, is considered to take important role in the long afterglow. V O acts as the traps for electrons. Both the V M and RE 3+ modify the depth of these traps, therefore lead to the long afterlow. The defects in the lattice are distributed group by group. Some suggestions to improve the synthesis technology are provided.
Keywords:phosphors  activator Eu  2+  aluminates  long afterglow  electron traps
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