| 洁净硅片在真空中加热时表面状态的XPS谱研究 |
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| 引用本文： | 叶志镇,袁骏,赵炳辉.洁净硅片在真空中加热时表面状态的XPS谱研究[J].真空科学与技术学报,1995(3). |
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| 作者姓名： | 叶志镇 袁骏 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学高纯硅国家重点实验室!杭州310027 |
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| 基金项目： | 高教博士点基金，国家教委优秀年轻教师基金，浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用X射线电子谱（XPS）评价了由改进的RCA方法清洗，又经HF处理的洁净（111）硅片在高真空和超高真空中加低热时的表面状态。实验表时，清洗后的硅片表面沾污中的氧（O）比较少而碳（C）相对多一些，同时存在微量的氟（F）。如果清洗工艺操作得当，可望获得较干净的衬底表面。洁净的硅片在8×10-6Pa的真空中存放12h后，表面吸附的C比O增加得更快。给出了在高低真空中硅片加低热前后表面状态的变化情况，并实时检测在超高真空中加低热时表面状态的XPS谱，同时对实验结果给予分析、讨论。
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| 关 键 词： | 硅片 表面评价 高真空系统 低温加热 |
SURFACE CHARACTERIZATION OF Si(111) WAFERS BAKED IN VACUUM SYSTEM BY XPS |
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| Ye Zhizhen, Yuan Jun, Zhao Binghui.SURFACE CHARACTERIZATION OF Si(111) WAFERS BAKED IN VACUUM SYSTEM BY XPS[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1995(3). |
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| Authors: | Ye Zhizhen Yuan Jun Zhao Binghui |
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| Keywords: | Si water Characterization of surface High vacuum system Low-temperature baking |
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