| 晶体生长的边界层效应—兼论光学实时观察法晶体生长技术 |
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| 引用本文： | 金蔚青,潘志雷,程宁,袁晖.晶体生长的边界层效应—兼论光学实时观察法晶体生长技术[J].无机材料学报,1997,12(3):279-285. |
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| 作者姓名： | 金蔚青 潘志雷 程宁 袁晖 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 摘 要： | 晶体生长边界层模型起源于流体动力学边界层模型，但两者又不完全相同，晶全生长边界层模型有两方面的含义：（１）在固－液界面处的、垂直于界面的，由杂质和组份构成的质量流决定晶体生长速度；（２）在界面附加溶度一侧的质量浓度流，其浓度分布是决定界面稳定性的基本参数。
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| 关 键 词： | 边界层效应 晶体生长 光学实时观察法 结构 晶体 |
| 收稿时间： | 1996-5-8 |
| 修稿时间： | 1996-6-28 |
Boundary Layer Effect in Crystal Growth-Comments on the Optical in Situ Observation Technique for Melt Crystal Growth |
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| JIN Weiqing,PAN Zhilei,CHENG Ning,YUAN Hui.Boundary Layer Effect in Crystal Growth-Comments on the Optical in Situ Observation Technique for Melt Crystal Growth[J].Journal of Inorganic Materials,1997,12(3):279-285. |
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| Authors: | JIN Weiqing PAN Zhilei CHENG Ning YUAN Hui |
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| Affiliation: | ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofScienceShanghai200050China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | boundary layer effect melt growth optical in-situ observation method characteristicdiffusion distance cellular interface structure |
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