| 850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性 |
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| 作者姓名： | 张永明 钟景昌 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 兵器工业总公司资助项目 |
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| 摘 要： | 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20～80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K,器件的基模红移为0.11nm/mW,实验确定其热阻为2.02℃/mW．
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-1024-04 |
| 修稿时间： | 2004-07-02 |
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