|
|||||
|
|
| 一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术 | |
| 作者姓名： | 史明甫焦继伟 包晓清冯飞 杨恒李铁 王跃林 |
| 作者单位： | 中国科学院研究生院;上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室,上海;上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室,上海 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm. |
| 关 键 词： | 微/纳机械系统 纳米沟道 离子束刻蚀 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1462-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-01 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《传感技术学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《传感技术学报》下载全文 | |