| 直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长 |
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| 引用本文： | 符黎明,杨德仁,马向阳,郭杨,阙端麟.直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长[J].半导体学报,2007,28(1). |
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| 作者姓名： | 符黎明 杨德仁 马向阳 郭杨 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，四川省应用基础研究计划，国家预研基金 |
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| 摘 要： | 重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.
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| 关 键 词： | 直拉单晶硅 氧沉淀 消融 再生长 |
Dissolution at High Temperature and Re-Growth of Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Wafer |
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| Fu Liming,Yang Deren,Ma Xiangyang,Guo Yang,Que Duanlin.Dissolution at High Temperature and Re-Growth of Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Wafer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1). |
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| Authors: | Fu Liming Yang Deren Ma Xiangyang Guo Yang Que Duanlin |
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| Keywords: | |
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