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无压力辅助硅/玻璃激光局部键合
引用本文:马子文,汤自荣,廖广兰,史铁林,聂磊.无压力辅助硅/玻璃激光局部键合[J].半导体学报,2007,28(2).
作者姓名:马子文  汤自荣  廖广兰  史铁林  聂磊
作者单位:华中科技大学机械科学与工程学院,武汉光电国家实验室,武汉,430074
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金
摘    要:提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.

关 键 词:MEMS  激光键合  表面活化  键合线宽

Pressure-Free Localized Laser Bonding for Silicon and Glass
Ma Ziwen,Tang Zirong,Liao Guanglan,Shi Tielin,Nie Lei.Pressure-Free Localized Laser Bonding for Silicon and Glass[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2).
Authors:Ma Ziwen  Tang Zirong  Liao Guanglan  Shi Tielin  Nie Lei
Abstract:
Keywords:
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