| 90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理 |
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| 引用本文： | 曹艳荣,马晓华,郝跃,于磊,朱志炜,陈海峰.90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理[J].半导体学报,2007,28(5). |
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| 作者姓名： | 曹艳荣 马晓华 郝跃 于磊 朱志炜 陈海峰 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.
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| 关 键 词： | NBTI 90nm pMOSFETs 模型 |
Models and Related Mechanisms of NBTI Degradation of 90nm pMOSFETs |
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| Cao Yanrong,Ma Xiaohua,Hao Yue,Yu Lei,Zhu Zhiwei,Chen Haifeng.Models and Related Mechanisms of NBTI Degradation of 90nm pMOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5). |
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| Authors: | Cao Yanrong Ma Xiaohua Hao Yue Yu Lei Zhu Zhiwei Chen Haifeng |
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| Abstract: | We investigate the negative bias temperature instability(NBTI)of 90nm pMOSFETs under various temperatures and stress gate voltages(Vg).We also study models of the time(t),temperature(T),and stress Vg dependence of 90nm pMOSFETs NBTI degradation.The time model and temperature model are similar to previous studies,with small difference in the key coefficients.A power-law model is found to hold for Vg,which is different from the conventional exponential Vg model.The new model is more predictive than the exponential model when taking lower stress Vg into account. |
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| Keywords: | NBTI 90nm pMOSFETs model |
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