δ-掺杂GaAs/AlxGa_(1-x)As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性 |
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引用本文: | 陈建新,李爱珍,齐鸣,任尧成.δ-掺杂GaAs/AlxGa_(1-x)As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性[J].功能材料与器件学报,1996(2). |
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作者姓名: | 陈建新 李爱珍 齐鸣 任尧成 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,信息功能材料国家重点实验室 |
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摘 要: | 本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。
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关 键 词: | GSMBE,AlGaAs/GaAs,二维电子气,δ-掺杂 |
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