| AES深度分布测量的精确分析和电子逃逸深度的测定 |
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| 引用本文： | 邢益荣,W.Ranke.AES深度分布测量的精确分析和电子逃逸深度的测定[J].半导体学报,1983,4(5):432-438. |
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| 作者姓名： | 邢益荣 W.Ranke |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 Fritz-Haber-Institut der Max-planck-Gesellschaft，Faradayweg 4-6，D-1000 Berlin 33，Germany |
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| 摘 要： | 根据界面区俄歇信号随深度变化的测量结果J(x)精确地计算相应的元素浓度的相对变化n(x),其中考虑了入射电子的贯穿深度和俄歇电子的逃逸深度的影响.对SiO_2/Si、SiO_2/GaAs和阳极氧化物/GaAs三种界面的测量结果表明:这种分析不仅给出n(x)与j(x)之间的精确位移,而且当电子的逃逸深度同界面的过渡区厚度相接近时,看到预期的n(x)曲线比J(x)曲线变陡的效果.另外,利用这种分析方法还可确定电子的逃逸深度λ. 对SiO_2测得的结果是:λ(510eV)=26±4A和λ(1619eV)=62±9A.这些数值明显地大于对大量不同材料测得的平均值.
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