| SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展 |
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| 引用本文： | 杨治美,高旭,李芸,黄铭敏,马瑶,龚敏.SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展[J].电子与封装,2022,22(5):1-9. |
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| 作者姓名： | 杨治美 高旭 李芸 黄铭敏 马瑶 龚敏 |
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| 作者单位： | 四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064;四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064,四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;模拟集成电路重点实验室基金;国防科技工业抗辐照应用技术创新中心项目 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 碳化硅 辐照诱生缺陷 深能级缺陷 电学性能 重离子辐照 |
Research Progress of Irradiation Induced Defects Experiment of SiC Power Device |
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| YANG Zhimei,GAO Xu,LI Yun,HUANG Mingmin,MA Yao,GONG Min.Research Progress of Irradiation Induced Defects Experiment of SiC Power Device[J].Electronics & Packaging,2022,22(5):1-9. |
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| Authors: | YANG Zhimei GAO Xu LI Yun HUANG Mingmin MA Yao GONG Min |
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| Abstract: | |
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