|
|||||
|
|
| 硅表面上的纳米量子点的自组织生长 | |
| 引用本文： | 彭英才,陈金忠,李社强,李彦波.硅表面上的纳米量子点的自组织生长[J].固体电子学研究与进展,2003,23(3):349-355. |
| 作者姓名： | 彭英才 陈金忠 李社强 李彦波 |
| 作者单位： | 1. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 2. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 3. 中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室,北京,100080 4. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
| 基金项目： | 河北省自然科学基金 (批准号 5 0 3 12 5和 5 0 0 0 84)资助项目 |
| 摘 要： | 纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景 |
| 关 键 词： | 硅基表面 纳米量子点 自组织生长 形成机理 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)03-349-07 |
| 修稿时间： | 2001年6月4日 |
Self-assembled Growth of Nanoquantum Dots on Si Surface |
|
| PENG Yingcai , CHEN Jinzhong LI Sheqiang LI Yanbo.Self-assembled Growth of Nanoquantum Dots on Si Surface[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(3):349-355. | |
| Authors: | PENG Yingcai CHEN Jinzhong LI Sheqiang LI Yanbo |
| Affiliation: | PENG Yingcai 1,2 CHEN Jinzhong 3 LI Sheqiang 4 LI Yanbo 1 |
| Abstract: | Nanometer sized silicon structures have attracted much attention because of the ir unique photoelectronic and transport properties associated with quantum effec ts. Self assembled growth methods are of increasing interest as a formed techno lgoy of high quality nanoquantum dots. In particular, self assembled growth of nanoquantum dots with controlled size and density is very important for electron ic device applications. In the paper, we focused on the self assembled growth a nd formed mechanism on various Si surfaces, such as conventional surface, oxidiz ed surface, stepped surface and absorbed surface, and future development are als o discussed. |
| Keywords: | Si based surface nanoquantum dots self ass embled growth formed mechanisms |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |