耦合双量子点中基态电子的隧穿特性 |
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作者姓名: | 肖洁 施毅 熊诗杰 张荣 郑有炓 |
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作者单位: | 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093 |
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基金项目: | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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摘 要: | 介绍了以Si/SiO2系统构成的量子异或门的工作原理,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性.研究结果表明,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化.目前模拟的特征变化曲线表明,可获得实验上理想的隧穿时间(工作频率)和相应的栅压(工作电压).
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关 键 词: | 量子比特 隧穿时间 量子点 |
文章编号: | 0253-4177(2004)01-0038-05 |
修稿时间: | 2003-01-23 |
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