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| 分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究 | |
| 作者姓名： | 梁基本 孔梅影 王占国 朱战萍 段维新 王春艳 张学渊 曾一平 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京 100083,北京 100083,北京 100083,北京 100083,北京 100083,北京 100083,北京 100083,北京 100083 |
| 摘 要： | 用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 外延生长 缓冲层 |
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