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SiC_w在Al_2O_3-C复合耐火材料中原位生长的实验研究
引用本文:陈卫武,邹宗树,王志强.SiC_w在Al_2O_3-C复合耐火材料中原位生长的实验研究[J].安徽工业大学学报,1997(4).
作者姓名:陈卫武  邹宗树  王志强
作者单位:东北大学钢铁冶金系(陈卫武,邹宗树),鞍钢耐火公司(王志强)
摘    要:通过引入金属Si和活性C对SiC晶须在Al2O3-C复合耐火材料中的原位生长进行了实验研究.利用SEM结合电子探针(EMA)研究了SiCw在Al2O3-C复合耐火材料中的原位生长机理,提出LS生长机理.讨论了SiCw在Al2O3-C复合耐火材料中的原位生长的热力学条件和晶须生长的动力学控制环节.

关 键 词:Al_2O_3-C复合耐火材料  SiC_w  原位生长  机理

The In-situ Growth of SiC_w in Al_2O_3-C Refractorie
Chen Weiwu, Zou Zongshu, Wang Zhiqiang.The In-situ Growth of SiC_w in Al_2O_3-C Refractorie[J].Journal of Anhui University of Technology,1997(4).
Authors:Chen Weiwu  Zou Zongshu  Wang Zhiqiang
Abstract:The In-situ grown SiCw formate by adding some silicon and active carbon in Al2O3-C refractories. The grown mechanism of In-situ grown SiCw was studied by means of SEM and EMA. A new grown mechanism, L-S (Liquid-Solide ) mechanism, is advanced. The thermdynamic and dynamic conditions were also discussed.
Keywords:Al_2O_3-C refractorie  SiC_w  In-situ grown  Mechanism
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