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| 相变存储器技术研究成果 | |
| 摘 要： | 英特尔公司与恒忆（Numonyx B．V．）公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果，这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路， |
| 关 键 词： | 研究成果 存储器 技术 相变 英特尔公司 研究人员 突破性 PCM |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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