| 掺Er-Al2O3薄膜发光特性的研究 |
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| 引用本文： | 肖海波,张峰,张昌盛,程新利,王永进,陈志君,林志浪,张福民,邹世昌.掺Er-Al2O3薄膜发光特性的研究[J].功能材料与器件学报,2004,10(1):29-32. |
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| 作者姓名： | 肖海波 张峰 张昌盛 程新利 王永进 陈志君 林志浪 张福民 邹世昌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家863计划(No.2001AA312070) |
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| 摘 要： | 通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.
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| 关 键 词： | 掺Er-Al2O3薄膜 PL谱 光透射谱 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)01-0029-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月14日 |
Photoluminescence characterization of Er-implanted Al2O3 thin films |
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| XIAO Hai -bo,ZHANG Feng,ZHANG Chang-sheng,CHENG Xin -li,WANG Yong -jin,CHEN Zhi -jun,LIN Zhi -lang,ZHANG Fu-min,ZOU Shi -chang.Photoluminescence characterization of Er-implanted Al2O3 thin films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(1):29-32. |
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| Authors: | XIAO Hai -bo ZHANG Feng ZHANG Chang-sheng CHENG Xin -li WANG Yong -jin CHEN Zhi -jun LIN Zhi -lang ZHANG Fu-min ZOU Shi -chang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Er -implanted Al_2O_3 thin film PL spectrum optical tran smission spectrum |
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