| Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性 |
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| 引用本文： | 白云,麻芃,朱杰,刘键,刘新宇. Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性[J]. 功能材料与器件学报, 2010, 16(1) |
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| 作者姓名： | 白云 麻芃 朱杰 刘键 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p-AlGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600～850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化。实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析。
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| 关 键 词： | p-AlGaN 高Al组分 欧姆接触 |
Ni/Au and Pd/Au contacts to p-AIGaN |
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| BAI Yun,MA Peng,ZHU Jie,LIU Jian,LIU Xin-Yu. Ni/Au and Pd/Au contacts to p-AIGaN[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2010, 16(1) |
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| Authors: | BAI Yun MA Peng ZHU Jie LIU Jian LIU Xin-Yu |
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| Abstract: | Contacts to p-AIGaN layer using Ni/Au and Pd/Au are reported. The metals Ni/Au and Pd/Au deposited on p – AlGaN layer (x =0.46) were annealed from 600～850℃. The dependence of the contacts properties on annealing temperature in N_2 is examined via TLM measurements. Experiments show some different contacts properties between Ni/Au and Pd/Au on p-AlGaN. The I-V properties of bare p-AlGaN are measured to better analyze the change in I-V curves of Ni/Au and Pd/Au contacts. The results show the effectiveness of Pd/Au than Ni/Au to make the ohmic contacts to p-AlGaN. |
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| Keywords: | p-AlGaN p-AIGaN high Al contents ohmic contacts |
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