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| 用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构 | |
| 引用本文： | 郝平海,侯晓远,丁训民,贺仲卿,蔡卫中,王迅.用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构[J].半导体学报,1995,16(1):13-18. |
| 作者姓名： | 郝平海 侯晓远 丁训民 贺仲卿 蔡卫中 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列． |
| 关 键 词： | 多孔硅 电子结构 电子能量损失谱 紫外光电子谱 |
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