| 硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究 |
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| 引用本文： | 王亮亮,路新春,潘国顺,黄义,雒建斌,雷红. 硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究[J]. 润滑与密封, 2006, 0(2): 66-68,75 |
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| 作者姓名： | 王亮亮 路新春 潘国顺 黄义 雒建斌 雷红 |
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| 作者单位： | 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084;深圳清华大学研究院微纳工程实验室,广东深圳,518057;上海大学纳米中心,上海,200444 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;上海市科委资助项目 |
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| 摘 要： | ![]()
利用扫描电镜和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪研究了抛光过程中不同阶段硅片的表面形貌、抛光液研磨颗粒粒径对抛光表面质量的影响以及抛光过程中的桔皮现象。结果表明，抛光中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除，而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善；当颗粒直径在10-25nm的范围时，粒径和粗糙度不存在单调关系；桔皮的产生主要是抛光液中碱浓度过高所致。
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| 关 键 词： | 单晶硅片 化学机械抛光 表面形貌 |
| 文章编号： | 0254-0150（2006）2-066-3 |
| 收稿时间： | 2005-03-14 |
| 修稿时间： | 2005-03-14 |
Research on Surface Topography of Silicon Wafer in Chemical-mechanical Polishing |
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| Wang Liangliang,Lu Xinchun,Pan Guoshun,Huang Yi,Luo Jianbin,Lei Hong. Research on Surface Topography of Silicon Wafer in Chemical-mechanical Polishing[J]. Lubrication Engineering, 2006, 0(2): 66-68,75 |
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| Authors: | Wang Liangliang Lu Xinchun Pan Guoshun Huang Yi Luo Jianbin Lei Hong |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China; 2. Laboratory of Micro-nano Engineering, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen Guangdong 518057, China; 3. Center of Nanotechnology, Shanghai University, Shanghai 200444, China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | silicon chemical-mechanical polishing topography |
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