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环孔p-n结理论分析
引用本文:邢素霞,蔡毅,常本康.环孔p-n结理论分析[J].红外技术,2002,24(1):27-29,37.
作者姓名:邢素霞  蔡毅  常本康
作者单位:1. 南京理工大学电光院,江苏,南京,210094
2. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
摘    要:在对环孔p-n结作近似假设的基础上,忽略了产生-复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响,假设在低温下扩散电流起主要作用,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触,建立了环孔p-n结的电流模型。根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和ROA的计算表达式,由于n区空穴的电流密度相对p区要小得多,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响。最后对上述结果进行了数值分析和计算,分别做出了RoA在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线。从曲线可以得出:当截止波长在中波波段3-5μm时,77-150K的温度范围都可以使用,但只有在130K或更低的温度下才有较好的性能。目前在中波段的R0A值已经达到10^9Ωcm^2,比理论值要低2-3个数量级;对于8-10.4μm波段,120K以下都有性能,而10-14μm波段,要工作在100K温度之下。

关 键 词:环孔  漏电流  理论分析  p-n结  焦平面
文章编号:1001-8891(2002)01-0027-03

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction
XUN Su xia,CAI Yi,CHEN Ben kang.A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J].Infrared Technology,2002,24(1):27-29,37.
Authors:XUN Su xia  CAI Yi  CHEN Ben kang
Abstract:
Keywords:loophole  leakage current
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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