| R.F.溅射Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2薄膜及其介电特性研究 |
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| 引用本文： | 张柏顺,章天金,江娟,刘江华.R.F.溅射Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2薄膜及其介电特性研究[J].光电子技术与信息,2004,17(2):19-22. |
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| 作者姓名： | 张柏顺 章天金 江娟 刘江华 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA066);湖北省教育厅自然科学基金资助项目(2003A006) |
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| 摘 要： | 用R．F．磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0．5Sr0．5TiO3／RuO2异质结，BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析，表明在衬底温度为550℃时，薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大。电容器InGa／BST／RuO2的介电特性由ε—V特性和I—V特性描述。薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0．03，低电场条件下，薄膜的漏电流随电压呈饱和特性，属电子跳跃传导，且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流，高电场条件下，漏电流符合肖特基发射规律。
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| 关 键 词： | BST薄膜 射频溅射 底电极 结晶度 介电特性 |
| 文章编号： | 1006-1231(2004)02-0019-04 |
| 修稿时间： | 2003年8月18日 |
Dielectric Properties of Sputtered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Film on RuO2 Bottom Electrode |
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