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| 纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构 | |
| 作者姓名： | 季小明 韩伟华 张严波 陈燕坤 杨富华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104) |
| 摘 要： | 介绍了在进入22 nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构.首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率;最后介绍了悬浮硅纳米... |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 多栅结构 应变 硅纳米线 围栅 |
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