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| Vishay推出最低导通电阻P沟道功率MOSFET | |
| 作者姓名： | 郑冬冬 |
| 摘 要： | 器件在4.5 V下导通电阻仅为34 mΩ,具有1.6 mm×1.6 mm的占位面积和不到0.8 mm的高度,可在1.2 V的电压下导通,适用于更低电压的手持式电子产品。2011年8月17日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布占位面积为1.6mm×1.6 mm、高度小于0.8 mm的新款8 V P沟道TrenchFET~(R)功率MOS- |
| 关 键 词： | 低电压 手持设备 功率 占位 导通电阻 沟道器件 |
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