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A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transisto
Authors:Tian Xiaoli  Chu Weili  Lu Jiang  Lu Shuojin  Yu Qiaoqun  and Zhu Yangjun
Affiliation:[1]Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China [2]Jiangsu R&D Center for Internet of Things, Wuxi 214135, China
Abstract:IEGT dummy cell 3.3kV cell pitch
Keywords:IEGT  dummy cell  3  3kV  cell pitch
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