| 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究 |
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| 引用本文： | 陆清茹,李帆,黄晓东. 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 480-483 |
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| 作者姓名： | 陆清茹 李帆 黄晓东 |
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| 作者单位： | 东南大学成贤学院电子与计算机工程学院,南京210088;东南大学毫米波国家重点实验室,南京210096;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
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| 基金项目： | 东南大学毫米波国家重点实验室开放课题项目(K201907)；东南大学成贤学院“青年教师科研发展基金”资助项目(z0006). |
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| 摘 要： | ![]()
基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压Vth分别为4.2、2.5和0V,均低于无激光时的4.3V,且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低,此外,随着激光波长的下降,“明/暗”电流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V条件下),光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可见激光波长越短,可获得更强的光电效应,光灵敏度也更高,该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 光敏特性 |
| 收稿时间： | 2019-03-11 |
Fabrication and Photosensitive Properties of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors |
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| LU Qingru,LI Fan and HUANG Xiaodong. Fabrication and Photosensitive Properties of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 480-483 |
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| Authors: | LU Qingru LI Fan HUANG Xiaodong |
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| Affiliation: | School of Electron & Computer Engin., Chengxian College, Southeast University, Nanjing 210088, CHN;State Key Lab.of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing 210096, CHN,Key Lab.of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, CHN and Key Lab.of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, CHN |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | RF magnetron sputtering a-IGZO thin film transistor photosensitivity |
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