| 4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法 |
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| 引用本文： | 孙腾飞,汤晓燕,谢思亮,袁 昊,张玉明.4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(4):721-725. |
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| 作者姓名： | 孙腾飞 汤晓燕 谢思亮 袁 昊 张玉明 |
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| 作者单位： | Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices，School of Microelectronics，Xidian University，Xi’an Shaanxi 710071，China,Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices，School of Microelectronics，Xidian University，Xi’an Shaanxi 710071，China,Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices，School of Microelectronics，Xidian University，Xi’an Shaanxi 710071，China,Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices，School of Microelectronics，Xidian University，Xi’an Shaanxi 710071，China and Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices，School of Microelectronics，Xidian University，Xi’an Shaanxi 710071，China |
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| 基金项目： | 科学挑战专题基金资助项目(TZ2018003) |
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| 摘 要： | 研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度，然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度，进而设计出浮动结和表面结的最佳结构参数。否定了文献中认为浮动结位于器件中部为最佳设计的结论。仿真结果表明浮动结和表面结线宽比不仅影响器件导通特性，还会影响反向特性。浮动结线宽比在一定范围内会略微影响器件击穿电压，而表面结线宽比主要影响器件的反向泄漏电流。
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| 关 键 词： | 4H-SiC 浮动结-结势垒肖特基二极管 外延结构 功率优值 |
| 收稿时间： | 2018/8/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/11/14 0:00:00 |
Design of 4H-SiC Floating Junction-Junction Barrier Schottky device |
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| SUN Tengfei,TANG Xiaoyan,XIE Siliang,YUAN Hao and ZHANG Yuming.Design of 4H-SiC Floating Junction-Junction Barrier Schottky device[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2019,17(4):721-725. |
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| Authors: | SUN Tengfei TANG Xiaoyan XIE Siliang YUAN Hao and ZHANG Yuming |
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