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| 退火过程中自组织生长Ge量子点的变化 | |
| 作者姓名： | 胡冬枝 杨建树 蔡群 张翔九 胡际璜 蒋最敏 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| 摘 要： | 在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比,新形成的量子点被认为是存在位错的岛. |
| 关 键 词： | 量子点 硅基材料 形貌评价 AFM |
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