| 负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究 |
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| 引用本文： | 刘凤艳,刘宇星,刘敏蔷,侯碧辉.负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究[J].功能材料,2004,35(Z1):2171-2173. |
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| 作者姓名： | 刘凤艳 刘宇星 刘敏蔷 侯碧辉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,应用数理学院,北京,100022 |
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| 摘 要： | 由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击,使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑),增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积.本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.
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| 关 键 词： | 金刚石膜 硅衬底 结合力 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-2171-03 |
| 修稿时间： | 2004年2月10日 |
Theoretical study on effect of negative bias on the bond strength of diamond film with substrate |
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| LIU Feng-yan,LIU Yu-xing,LIU Min-qiang,HOU Bi-hui.Theoretical study on effect of negative bias on the bond strength of diamond film with substrate[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):2171-2173. |
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| Authors: | LIU Feng-yan LIU Yu-xing LIU Min-qiang HOU Bi-hui |
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