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| 基于全球专利的硅衬底镓氮器件发展趋势研究 | |
| 作者姓名： | 王亦 豆瑞玲 赵晏强 毛迪 |
| 作者单位： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123,中国科学院武汉文献情报中心, 武汉 430071,中国科学院武汉文献情报中心, 武汉 430071 |
| 基金项目： | 中国科学院科研一线知识服务能力建设专项子项目 |
| 摘 要： | 基于德温特DII专利数据库,利用Thomson Data Analyzer等工具从全球专利发展态势、技术发展趋势、专利权人专利布局、功能和应用领域分布等方面进行了分析总结。结果显示,硅衬底镓氮器件从2011年以来快速发展,日本在硅衬底镓氮器件的研究方面具有较大竞争优势,我国还是停留在研究阶段,相关的专利技术缺乏核心竞争力。目前研究热点集中在二极管和晶体管,微波器件、放大器、射频器件等是目前的研发空白点,相关技术有待突破。 |
| 关 键 词： | 硅基镓氮 技术趋势 专利布局 专利空白点 |
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