| GexC1—x非均匀增透保护膜系的设计和制备 |
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| 引用本文： | 宋建全 刘正堂 等. GexC1—x非均匀增透保护膜系的设计和制备[J]. 激光与红外, 2001, 31(4): 253-255 |
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| 作者姓名： | 宋建全 刘正堂 等 |
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| 作者单位： | 宋建全（西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072）;刘正堂（西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072）;耿东生（西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072）;郑修麟（西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072） |
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| 基金项目： | “九五”预研(J12.2.8)资助项目;陕西省自然科学基金(99C29)资助项目. |
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| 摘 要： | ![]()
用射频磁控反应溅射法（RS）制备出GexC1-x薄膜，其折射率可以在1．7－4．0之间变化。设计出单层GexC1-x非均匀增透保护膜和含有GexC1-x非均匀膜的多层增透保护膜系，并在ZnS基片上制备出GexC1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明，NnS衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透，在5000－850cm^-1波数范围内，平均透过率从67．19％提高到78．70％，比未镀膜净增加11．51％。
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| 关 键 词： | 碳化锗薄膜 非无效膜 增透保护膜系 膜系设计 膜系制备 |
| 文章编号： | 1001-5078(2001)04-0253-03 |
| 修稿时间： | 2000-12-18 |
Design and Preparation of GexC1-x InhomogeneousAntireflective and Protective Films |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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