氯硅烷吸收HCl工艺的模拟

采用ASPEN plus软件对改良西门子法制备多晶硅工艺中的HCl吸收过程进行了模拟。提高压力至11bar以上,降低温度至-40℃以下,有利于H_2纯度提升至85%(w)以上。同时分析了压力、吸收剂量和温度,以及吸收剂组成等对吸收效果的影响。在不同温度和压力下,分别计算了HCl在SiHCl_3和SiCl_4中的溶解度。虽然HCl在SiHCl_3中比SiCl_4中的溶解度高,但由于SiHCl_3挥发度比SiCl_4小,所以随着吸收剂中SiHCl_3增多,吸收后的H_2纯度反而会降低。